Трансформатори басомади баланд феррити асосии EPC25 трансформатори интиқоли барқ барои занги дарҳо
Муқаддима
Трансформатори EPC25 асосан ба ҳар як модули функсионалии занги дар барои амалӣ кардани интиқоли тасвир ва садо, нигоҳдории маълумот, фиристодани фармонҳои идоракунӣ ва дигар вазифаҳо нерӯ медиҳад.Он метавонад дар як вақт се маҷмӯи шиддат, аз ҷумла таъминоти барқ ва муҳофизат барорад.Илова бар ин, муҳофизати изолятсияи ибтидоӣ ва дуюмдараҷа амалӣ карда мешавад, то хатари ихроҷ дар натиҷаи нокомии схемаҳо пешгирӣ карда шавад.
Параметрҳо
| Шиддат ва сарбории ҷорӣ | ||||
| Вуруд (Намуд) | 110-220В | |||
| Натиҷа (Намуд) | V1 | V2 | V3 | |
| 12V | 12V | 10В | ||
| Хусусиятҳои электрикӣ | ||||
| НЕ. | АСОС | PIN САНҶИШ | Мушаххасоти | ШАРТХОИ САНЧИШ |
| 1 | Индуктивӣ | 8-9 | 1,3мН±10% | 100КГц 1Врм |
| 2 | Ихроҷ | 8-9 | 26uH Макс | 100КГц 1Врм Pin 2,3,4,5,6,7,10,11 кӯтоҳ |
| 3 | DCR | 2-3 | 90mΩ Макс | Дар 25℃ |
| 4-5 | 80mΩ Макс | |||
| 6-7 | 290mΩ макс | |||
| 8-9 | 2.5mΩ макс | |||
| 10-11 | 82mΩ макс | |||
| 4 | HI-POT | PS | Танаффуси кӯтоҳ нест | AC1.8KV/1mA/2s |
| P,s-Core | AC1.2KV/1mA/2s | |||
| 5 | Муқовимат ба изолятсия | PS | Танаффуси кӯтоҳ нест | AC1.5KV/1mA/60s |
| P,s-Core | AC1.0KV/1mA/60s | |||
Андозаҳо:（Воҳид: мм）& Диаграмма
Вижагиҳо
1. Сохтори чипи SMD
2. Қабули печи сипари дохилӣ барои беҳтар кардани қобилияти дахолати зидди электромагнитӣ
3. Асосии магнитӣ бо лентаи муҳофизатии иловагӣ масофаи бехатариро дароз мекунад
4. Барои ҳамвор будани пинҳои SMD талаботҳои қатъии андоза вуҷуд доранд
5. Бастабандии блистер
Афзалиятҳо
1. Сохтори EPC25 SMD имкон медиҳад, ки тавассути технологияи васлкунӣ, ки самаранокии баланд дорад, насб карда шавад
2. Муҳофизати кофии изолятсия ва изолятсия барои бехатарии истифода
3. Тарҳрезӣ бо печи муҳофизатшуда, қобилияти хуби зидди дахолати EMC
4. Он метавонад якчанд шиддати баромади устуворро дар як вақт таъмин кунад ва тағирёбии шиддат хурд аст
Шаҳодатномаҳо
Мизоҷони мо
Чеҳраи Ширкат
